سامسونگ ساخت تراشه 3 نانومتری را در دستور کار قرار داد

در حال حاضر، سامسونگ در دنیای تراشه‌های موبایل پیشرو محسوب می‌شود. قدم مهم بعدی این شرکت ساخت تراشه‌های 7 نانومتری با استفاده از فناوری برتر لیتوگرافی ماورا بنفش شدید (EUV -> Extreme Ultra-Violet) محسوب می‌شود. این تکنولوژی نه تنها در تراشه‌های پرچمدار موبایل آتی سامسونگ، بلکه در چیپست‌های بالارده شرکت کوالکام نیز استفاده خواهد شد.

بعد از نسل دوم تراشه‌های 7 نانومتری، که انتظار داریم در مغز متفکر گوشی های 2019 اپل یعنی تراشه A13 نیز به کار برود، نوبت به جهشی بزرگتر خواهد رسید. انتظار داشتیم سامسونگ با توجه به محدودیت‌های بیشتر و بیشتری که با کاهش ابعاد فرآیند ساخت تراشه‌ها پدید می‌آید، برای توسعه چیپست‌های 5 نانومتری برنامه‌ریزی کند، اما غول کره‌ای لقمه‌ای بزرگتر برداشته است! بر اساس اطلاعاتی که در کنفرانس خبری اخیر سامسونگ منتشر شد، این شرکت فکر ساخت تراشه 3 نانومتری را در سر می‌پروراند

پیچیدگی‌های ساخت تراشه 3 نانومتری
چند سال پیش، یکی از مدیران سامسونگ اعلام کرد تا رسیدن به فرآیند ساخت 5 نانومتری در تراشه‌ها، محدودیت‌های اساسی پیش روی سازندگان قرار نخواهد گرفت. به عبارتی تا اینجا، مسیر تقریبا هموار است، اما از اینجا به بعد، کار سخت‌تر و سخت‌تر خواهد شد.

اما سامسونگ زودتر از حد انتظار، از طریق فرآیند 3GAE توانسته به روشی به منظور ساخت چیپستی 3 نانومتری دست پیدا کند. مزایای این نوع تراشه‌ها را می‌توان در تصویر زیر مشاهده کرد.

کاهش 50 درصدی مصرف انرژی و افزایش 30 درصدی قدرت پردازشی با وجود کاهش 45 درصدی ابعاد کلی چیپست، بهبودی باورنکردنی است! انتظار می‌رود فرآیند ساخت 3GAE در آینده‌ای نزدیک به طور گسترده در صنایع مختلف به کار گرفته شود. اگر همه چیز خوب پیش برود، سامسونگ گلکسی اس 11 اولین دستگاه الکترونیکی مجهز به تراشه‌ای 3 نانومتری خواهد بود. به این ترتیب می‌توان آن را یک گوشی هوشمند انقلابی نامید.

منبع: گجت نیوز

763